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內(nèi)存/硬盤(pán)合體加速到來(lái) Intel確定在中國(guó)生產(chǎn)3D閃存

2015-10-21 14:01 出處:其他 作者:快科技 責(zé)任編輯:lijunhai

  在Intel上周發(fā)布的第三季財(cái)報(bào)中,凈利潤(rùn)出現(xiàn)了明顯下滑。

示圖

  對(duì)于全球處理器頭號(hào)大廠來(lái)說(shuō),在PC走勢(shì)必然不好的背景下,他們必須想辦法拓展一些新業(yè)務(wù)。

  據(jù)新浪科技報(bào)道,英特爾宣布在中國(guó)大連投資55億美元,將其在當(dāng)?shù)氐墓S轉(zhuǎn)型為存儲(chǔ)芯片制造工廠,專注非易失性存儲(chǔ)芯片( nonvolatile memory chips)。

  英特爾大連工廠雖然創(chuàng)辦于2010年,但是在制造工藝上卻落后于其它英特爾工廠兩代以上。

  今年的IDF大會(huì)上,英特爾中重點(diǎn)推介了3D XPoint技術(shù),這種基于電阻非易失性內(nèi)存存儲(chǔ)方案(統(tǒng)一了DRAM內(nèi)存和SSD),理論速度可以比如今的固態(tài)硬盤(pán)快千倍。

  英特爾表示,大連工廠預(yù)計(jì)將從2016年下半年開(kāi)始生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。

  內(nèi)存硬盤(pán)二合一的時(shí)代正加速到來(lái)。

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